减产、涨价、发力HBM，存储大厂纷纷展开自救

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过去近两年来，受消费电子市场需求疲软等因素影响，存储芯片产业游进入库存过剩、订单减少、价格暴跌的“寒冬”。三星、美光、SK海力士、铠侠等存储芯片大厂纷纷减产、去库存，但市场行情是否筑底众说纷纭，整体产业回暖的迹象亦不明显。然而，在生成式AI对算力需求的带动下，2023年初以来高带宽内存(HBM)在整个存储芯片产业中可谓“这边风景独好”。目前，三星、SK海力士、美光等存储芯片大厂均在布局与抢占这一细分市场利好。三星等巨头带头减产近来 NAND 闪存客户需求低迷，三星电子此前计划停止其位于韩国平泽市 P1 工厂的部分 NAND 闪存生产设备，并暂停存储芯片第六代 V-NAND 成熟型制程报价。

此前据外媒 BusinessKorea 报道，在市场需求未明显好转的情况下，三星电子和 SK 海力士正面临不小的压力，库存依旧处在高位，下半年考虑将继续减产。而据外媒引用供应链消息表示，今年第三季度 DRAM 芯片的平均价格将延续下跌态势，环比跌幅 5%，超出此前预期的 3%。外媒称，存储行业人士表示，芯片制造商的存储芯片库存下跌速度，没有他预料的那么快，库存过剩问题可能延续至 2024 年上半年，目前第四季度交货价格比预期要差。而当下产业预估的情况是“存储芯片价格明年年初会上涨”，不过外媒表示，若价格跌势未能按预期扭转，相关产业产品“涨价的时间点将不可避免地延后”。减产之后就是涨价顺应存储芯片价格走出底部的定律，减产后的下一步就是涨价了，各大存储芯片原厂上半年财报都亏怕了，进入下半年赛局要开始拿回发球权。三星旗下负责芯片业务的装置解决方案事业部（Device Solutions）上半年财务扩损扩大，分析师预测DS部门全年亏损恐怕会来到百亿美元，之前宣布大减产后，近期铁了心调涨存储芯片的价格。尤其时间来到下半年，快要年度打考绩了，再不做出点成绩（涨价），恐怕饭碗不保。手机市场复苏缓慢，让科技业渡过艰辛的一年。近期供应链逐渐释出PC、手机的终端需求都有走出谷底的征兆，纵使需求升温缓慢，但最糟的时间希望已经过去。因此，手机、消费性电子大厂经历漫长的库存消化后，部分零部件、芯片库存开始有备货需求，一些动作慢的厂商已经发现：买不到便宜芯片了！供应链表示，这几个月来包括手机品牌厂、存储模组厂的采购都轮流去韩国谈NAND Flash价格，韩国大厂先发制人表示，减产后供需缺口达20%~30%，如果没有在7月前签约，现在才来追加货源只能接受涨价。据了解，OPPO和vivo最紧张，小米、传音已经从其他非韩渠道确保了NAND Flash供货，这也看出来这一波NAND Flash涨价是上游原厂忍了很久后的大动作调涨。另外，一些嗅觉敏锐的模组厂已经偷偷提高库存水位，买了一些低价芯片先囤着等涨价。不过，因为这一波景气坏太久了，很多人看手机真正大规模复苏要到2024年，因此现在是上游原厂拉抬价格卖力表演，逼迫品牌厂的采购接受涨价，而部分品牌大厂仍是抱持迟疑态度也是可以理解。

HBM风景独美今年初以来，ChatGPT突然爆火，带动了AI大模型的快速增长，使得具备高带宽和低功耗特性的HBM成为处理大规模数据和复杂计算任务的理想选择。据悉，2023年开年后，三星、SK海力士两家存储大厂HBM订单快速增加，价格也水涨船高，HBM3规格DRAM价格甚至上涨5倍。过去数月里，HBM乘AI东风，市场关注度大幅上升。据悉，三星电子、SK海力士等韩国本土存储半导体企业正在推动HBM专用线的扩张。两家公司计划在2024年年底前投资超过2万亿韩元，使HBM生产线目前的产能增加一倍以上。SK海力士计划利用利川现有HBM生产基地的清州工厂的闲置空间。三星电子正在考虑扩大位于忠清南道天安市的HBM核心生产线。另一大存储大厂美光也很早就嗅到AI应用商机，于2019年在中国台湾成立HBM部门。美光甚至表示，看好2022年至2025年HBM市场年复合成长率超50%。当前，HBM市场呈现三足鼎立格局。TrendForce研究显示，2022年三大原厂HBM市占率分别为SK海力士占50%、三星约40%、美光约占10%。从发展进程来看，2023-2024年将是AI建设爆发期，大量需求集中在AI训练芯片上，势必推升HBM使用量。预计2023年，HBM即便在原厂扩大产能的情况下，仍无法完全满足客户需求。从各原厂规划看，预计2024年HBM供给位元量将年增长105%。另据semiconductor-digest预测，到2031年，全球高带宽存储器市场预计将从2022年的2.93亿美元增长到34.34亿美元，在2023-2031年的预测期内复合年增长率为31.3%。巨头领跑，HBM3时代来临2013年，SK海力士将TSV技术应用于DRAM，在业界首次成功研发出HBM。随后，SK海力士、三星、美光等存储巨头在HBM领域展开了升级竞赛。2020年，另一家存储巨头美光宣布加入到这一赛场中来。JEDEC表示，HBM3是一种创新的方法，是更高带宽、更低功耗和单位面积容量的解决方案，对于高数据处理速率要求的应用场景来说至关重要，比如图形处理和高性能计算的服务器。SK海力士早在2021年10月就开发出全球首款HBM3，2022年6月量产了HBM3 DRAM芯片，并将供货英伟达，持续巩固其市场领先地位。随着英伟达使用HBM3 DRAM，数据中心或将迎来新一轮的性能革命。根据此前的资料介绍，SK海力士提供了两种容量产品，一个是12层硅通孔技术垂直堆叠的24GB（196Gb），另一个则是8层堆叠的16GB（128Gb），均提供819 GB/s的带宽，前者的芯片高度也仅为30微米。相比上一代HBM2E的460 GB/s带宽，HBM3的带宽提高了78%。此外，HBM3内存还内置了片上纠错技术，提高了产品的可靠性。SK海力士对于HBM的研发一直非常积极，为了满足客户不断增加的期望，打破现有框架进行新技术开发势在必行。SK海力士还在与HBM生态系统中的参与者（客户、代工厂和IP公司等）通力合作，以提升生态系统等级。商业模式的转变同样是大势所趋。作为HBM领军企业，SK海力士将致力于在计算技术领域不断取得进步，全力实现HBM的长期发展。三星也在积极跟进，在2022年技术发布会上发布的内存技术发展路线图中，三星展示了涵盖不同领域的内存接口演进的速度。首先，在云端高性能服务器领域，HBM已经成为了高端GPU的标配，这也是三星在重点投资的领域之一。HBM的特点是使用高级封装技术，使用多层堆叠实现超高IO接口宽度，同时配合较高速的接口传输速率，从而实现高能效比的超高带宽。在三星发布的路线图中，2022年HBM3技术已经量产，其单芯片接口宽度可达1024bit，接口传输速率可达6.4Gbps，相比上一代提升1.8倍，从而实现单芯片接口带宽819GB/s，如果使用6层堆叠可以实现4.8TB/s的总带宽。2024年预计将实现接口速度高达7.2Gbps的HBM3p，从而将数据传输率相比这一代进一步提升10%，从而将堆叠的总带宽提升到5TB/s以上。另外，这里的计算还没有考虑到高级封装技术带来的高多层堆叠和内存宽度提升，预计2024年HBM3p单芯片和堆叠芯片都将实现更多的总带宽提升。而这也将会成为人工智能应用的重要推动力，预计在2025年之后的新一代云端旗舰GPU中看到HBM3p的使用，从而进一步加强云端人工智能的算力。

存储芯片将至未至的底部反转或“迟到”两个季度值得注意的是，目前存储芯片行业似乎正从多角度证实即将触底反弹，但760亿A股龙头兆易创新股价“依然冷静”。事实上，将至未至的反转甚至已经“姗姗来迟”。近日，市场调研机构Yole Intelligence更新了一份存储芯片市场的监测数据报告，在Yole原本的预测中，全球存储芯片市场将于2023年第二季度开始复苏，但其最新报告指出对于2023年第三季度的存储芯片市场不用再抱太大的希望，乐观估计市场将从今年第四季度开始回暖。不过，预测存储市场将在即将到来的第四季度复苏的不只是Yole一家。据台湾经济日报、科技新报援引美国市场调查机构发布的最新报告称，美光、西部数据等存储芯片供货商认为产品价格已跌到底，开始取消以折扣价提前进行批量交易的模式，甚至开始抬高价格。该调查机构预计，Q3起，存储芯片价格下跌幅度将会收窄，部分产品合约价格很可能从Q4起出现上升拐点，不同产品线情况有别，明年有望全面复苏。从市场面的消息来看，DRAM的复苏可能相比NAND Flash来得更快一些。TrendForce集邦咨询最新预计称，第三季整体NAND Flash均价持续下跌约3%-8%，第四季有望止跌回升，第三季DRAM均价跌幅将会收敛至0-5%。半导体产业纵横7月25日发布的文章《存储芯片的寒风，要停了》中指出，DRAM三季度触底，NAND再等一季。此前有产业链人士表示，三星、SK海力士和美光三大厂商都希望在第三季度拉升DRAM订单的合约价，目标涨幅7%-8%。不过，由于终端市场没有看到明显的复苏迹象，因此上下游目前有明显的拉锯迹象。NAND方面，近日市场也传出上游NAND原厂计划从7月开始调涨价格的消息。此外，据网信办5月消息，在中国存储市场“占地不菲”的美光公司未能通过网络安全审查，平安证券研报指出，2022年美光在中国大陆的营业收入为33.11亿美元。分析人士指出，倘若美光在中国的业务受限，首先受益的自然是利基存储市场。在技术壁垒相对较低的利基存储领域，兆易创新是成长最快、实力最强的公司。此外，车载存储龙头北京君正和国内SLC NAND领域龙头东芯股份有望受益。下游的存储模组行业，江波龙和佰维存储在全球市场也有较强竞争力，其中江波龙的eMMC及UFS产品在全球市场占有率为6.5%，全球第六，国内第一；佰维存储的eMMC及UFS全球市占率2.4%，全球第八，国内第二。这两家公司的主要供应商都包括美光。分析人士指出，虽然存储芯片下游的库存压力还在，但通过主要厂商的动态以及行业分析数据来看底部就在眼前，为了赶上行业拐点之后的下一波旺周期，万润科技、力源信息、香农芯创和国芯科技等众多厂商跨界布局。不过，分析人士亦指出，就算把国产存储已有的公司兆易创新、北京君正、东芯股份和普冉股份等算上，目前国产存储产品大都是在SSD模组和NOR Flash层面，很难触及国际厂商大力推行的高端DRAM等市场，这就导致国产存储厂商很难享受增量市场的红利，需要在存储市场供需中随波逐流。

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